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电子与封装杂志电子工程师评审论文投稿网
  • 电子与封装杂志电子工程师评审论文投稿网

  • 主办单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所

    期刊级别:核心期刊

  • 国内刊号:32-1709/TN

    国际刊号:1681-1070

  • 发表周期:月刊

  • 学术咨询 咨询服务

  《电子与封装》简介

  《电子与封装》Electronics & Packaging(月刊)2002年创刊,是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。坚持为社会主义服务的方向,坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导,贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针,坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风,传播先进的科学文化知识,弘扬民族优秀科学文化,促进国际科学文化交流,探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律,活跃教学与科研的学术风气,为教学与科研服务。《电子与封装》主管单位:信息产业部,主办单位:中国电子科技集团公司第五十八研究所,国内统一刊号:32-1709/TN,国际标准刊号:1681-1070

  《电子与封装》收录情况

  国家新闻出版总署收录 维普网、万方数据库、知网数据库收录

  《电子与封装》影响因子:

  截止2014年万方:影响因子:0.263;总被引频次:250

  截止2014年知网:复合影响因子:0.282;综合影响因子:0.187

  《电子与封装》栏目设置

  政策与策略、专家论坛、综述、封装与组装、电路设计与测试、器件与制造、支撑技术、产品、应用与市场。

  《电子与封装》投稿须知

  一、摘要与关键词:文章要提供100-200字的摘要,客观反映论文的主要内容;提供3-5个关键词,用分号隔开;撰写的文章字数以2500-4500字为宜。

  二、作者简介:姓名(出生年月)、性别、工作单位、邮政编码、职称、职务、学历、主要研究方向等(研究生须注明博士研究生或硕士研究生)。

  三、注释:注释序号(上标)用带圆圈的阿拉伯数字表示,附于文末。

  四、非正式出版物(如博士或硕士学位论文)、未正式发表的讲话等不能作为参考文献引用。

  五、参考文献的格式:

  1、参考专著:[序号]作者.书名.出版地:出版社,出版年。

  2、参考报纸、期刊:[序号]作者.文题.报刊名,出版年,卷(期、版次),其止页码(具体情况可以参照国家GB7714-87“文后参考文献著录规则”)。

  六、资助项目需注明资助者、项目编号。

  七、体例要求:以“一”、“1”、“(1)”作为文章层次,(1)之下以小标题方式提炼主要观点。

  八、图表要求:表格:将表名置于表上方居中;图:将图名置于图下方居中。表、图内文字统一用楷体。

  九、为便于稿件的修改及联络,请作者提供联系方式:通信地址:邮编、电话、手机、电子信箱等。

  十、来稿一律通过电子邮件(WORD文档附件)发送,严禁抄袭,文责自负,来稿必复。

  《电子与封装》杂志2016 年07期出版论文目录表:

  多芯片陶瓷封装的结-壳热阻分析方法………………………………………… 高辉;仝良玉;蒋长顺;

  LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制 ……………………………………王运龙;刘建军;柳龙华;邱颖霞;王志勤;

  纳米无机粒子对环氧树脂胶黏剂导热性能的影响 ……………………………………莫洪强;秦会斌;毛祥根;

  光电器件用金属外壳高频性能的改进 ……………………………………袁中朝;许健;崔大健;姚科明;

  一种嵌入式NOR Flash控制器IP的设计 ……………………………………解同同;李天阳;

  高速SRAM编译器时序算法…………………………………… 黄奔;彭力;吴海宏;

  一种高速LVDS接收电路的设计 ……………………………………胡庆成;贺凌炜;周晓彬;

  一种用于OTP存储器的灵敏放大器设计 ……………………………………袁同伟;潘滨;孙杰杰;胡晓琴;

  L波段大功率开关的研制…………………………………… 孟向俊;杨磊;黄贞松;宋艳;许庆;

  0.18μm完全隔离型低导通态电阻(Low R_(on))NLDMOS研究 ……………………………………冯喆韻;马千成;汪铭;

  澳洲科学家打破光伏电池能效世界纪录 ……………………………………李星悦;

  NAND Flash浮栅干法蚀刻工艺优化解决数据写入失效 ……………………………………陈亮;周朝锋;李晓波;

  投稿论文:一种高速LVDS接收电路的设计

  【摘要】:提出了一种内置失效保护功能的高速低压差分信号(Low Voltage Differential Signaling,LVDS)接收电路。该电路不仅解决了传统电路结构在电源电压3 V或更低时不能满足LVDS标准规定的输入共模电压范围内(0.05~2.35 V)稳定工作的问题,而且还可以直接作为LVDS接口电路的输入级使用,节省了外接保护电路。基于SMIC 0.18μm CMOS工艺模型库,用spectre进行仿真,在输入共模电压范围内工作稳定,传输速率达到1 Gbps。

  【关键词】: LVDS 接收电路 失效保护 共模电压